Name: SIRA02DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA02DP-T1-GE3TR-ND
Price: 2.78 USD
Availability: InStock

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SIRA02DP-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SIRA02DP-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SIRA02DP-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SIRA02DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIRA02DP-T1-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Plazo estándar del fabricante	55 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 50A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) PowerPAK® SO-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SIRA02DP-T1-GE3 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.2V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 117 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (máx.) +20V, -16V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6150 pF @ 15 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 50A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base SIRA02
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2mOhm a 15A, 10V