Name: SIR826BDP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR826BDP-T1-RE3TR-ND
Price: 2.2 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

SIR826BDP-T1-RE3
N.º de producto de DigiKey	SIR826BDP-T1-RE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SIR826BDP-T1-RE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SIR826BDP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIR826BDP-T1-RE3
Descripción	MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK
Plazo estándar del fabricante	29 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 19.8A (Ta), 80.8A (Tc) 5W (Ta), 83W (Tc) PowerPAK® SO-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	19.8A (Ta), 80.8A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	7.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	5.1mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.8V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	69 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3030 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	5W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa)	PowerPAK® SO-8
Número de producto base	SIR826