SIR468DP-T1-GE3 Vishay Siliconix | FET simple, MOSFET

SIR468DP-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SIR468DP-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIR468DP-T1-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 40A (Tc) 5W (Ta), 50W (Tc) PowerPAK® SO-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	40A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	5.7mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1720 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa)	PowerPAK® SO-8
Número de producto base	SIR468

SIR468DP-T1-GE3