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SIHW21N80AE-GE3 está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.
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Equivalente paramétrico
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
SIHW21N80AE-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHW21N80AE-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHW21N80AE-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 800V 17.4A TO247AD |
Plazo estándar del fabricante | 25 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 800 V 17.4A (Tc) 32W (Tc) TO-247AD |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 800 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 235mOhm a 11A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 72 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1388 pF @ 100 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 32W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247AD | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
0 en stock
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $5.63000 | $5.63 |
| 30 | $3.17800 | $95.34 |
| 120 | $2.63783 | $316.54 |
| 510 | $2.24182 | $1,143.33 |
| 1,020 | $2.14750 | $2,190.45 |
México