Canal N Orificio pasante 600 V 7A (Tc) 78W (Tc) TO-220AB
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SIHP7N60E-GE3

N.º de producto de DigiKey
SIHP7N60E-GE3-ND
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante
SIHP7N60E-GE3
Descripción
MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
Plazo estándar del fabricante
22 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 600 V 7A (Tc) 78W (Tc) TO-220AB
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
SIHP7N60E-GE3 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Vishay Siliconix
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
7A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
600mOhm a 3.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
680 pF @ 100 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3
Número de producto base
SIHP7
Preguntas y respuestas sobre el producto

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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$2.83000$2.83
10$1.82700$18.27
100$1.25830$125.83
500$1.01508$507.54
1,000$0.93691$936.91
2,000$0.87118$1,742.36
5,000$0.84375$4,218.75
Paquete estándar del fabricante
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