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SIHP050N60E-GE3
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SIHP22N60AE-GE3

N.º de producto de DigiKey
SIHP22N60AE-GE3-ND
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante
SIHP22N60AE-GE3
Descripción
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
Plazo estándar del fabricante
25 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 600 V 20A (Tc) 179W (Tc) TO-220AB
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 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Vishay Siliconix
Serie
E
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
20A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
180mOhm a 11A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1451 pF @ 100 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
179W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3
Número de producto base
SIHP22
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