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SIHP21N80AE-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHP21N80AE-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHP21N80AE-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB |
Plazo estándar del fabricante | 24 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 800 V 17.4A (Tc) 32W (Tc) TO-220AB |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 72 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1388 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 32W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 235mOhm a 11A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP260N60E | onsemi | 190 | FCP260N60EOS-ND | $4.06000 | Similar |
| FCP290N80 | onsemi | 0 | FCP290N80OS-ND | $0.00000 | Similar |
| TK16E60W5,S1VX | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK16E60W5S1VX-ND | $5.16000 | Similar |
| TK17E80W,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 92 | TK17E80WS1X-ND | $6.88000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $5.25000 | $5.25 |
| 50 | $2.73660 | $136.83 |
| 100 | $2.49410 | $249.41 |
| 500 | $2.06936 | $1,034.68 |
| 1,000 | $1.95250 | $1,952.50 |



