Name: SIHLL110TR-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHLL110TR-GE3TR-ND
Price: 0.91 USD
Availability: InStock

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SIHLL110TR-GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SIHLL110TR-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SIHLL110TR-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SIHLL110TR-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIHLL110TR-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 1.5A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) SOT-223
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4V, 5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	540mOhm a 900mA, 5V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	6.1 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	250 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2W (Ta), 3.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-223
Paquete / Caja (carcasa)	TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base	SIHLL110