Name: SIHH085N60EF-T1GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHH085N60EF-T1GE3TR-ND
Price: 8.25 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

SIHH085N60EF-T1GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SIHH085N60EF-T1GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SIHH085N60EF-T1GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SIHH085N60EF-T1GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIHH085N60EF-T1GE3
Descripción	EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Plazo estándar del fabricante	25 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 30A (Tc) 184W (Tc) PowerPAK® 8 x 8
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	EF
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	30A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	85mOhm a 17A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	63 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2733 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	184W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® 8 x 8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	SIHH085