Name: SIHH068N60E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHH068N60E-T1-GE3TR-ND
Price: 9.12 USD
Availability: InStock

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SIHH068N60E-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SIHH068N60E-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SIHH068N60E-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SIHH068N60E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIHH068N60E-T1-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8
Plazo estándar del fabricante	25 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 34A (Tc) 202W (Tc) PowerPAK® 8 x 8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SIHH068N60E-T1-GE3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	E
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	34A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	68mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2650 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	202W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® 8 x 8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	SIHH068