Name: SIHG64N65E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHG64N65E-GE3-ND
Price: 12.44 USD
Availability: InStock

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SIHG64N65E-GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SIHG64N65E-GE3-ND
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIHG64N65E-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
Plazo estándar del fabricante	25 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 64A (Tc) 520W (Tc) TO-247AC
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	64A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	47mOhm a 32A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	369 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	7497 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	520W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247AC
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	SIHG64

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$12.44000	$12.44
10	$8.75000	$87.50
100	$7.56250	$756.25

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