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SIHG11N80E-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHG11N80E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHG11N80E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC |
Plazo estándar del fabricante | 22 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 800 V 12H (Tc) 179W (Tc) TO-247AC |
Hoja de datos | Hoja de datos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 88 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1670 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 179W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 440mOhm a 5.5A, 10V |
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Sustitutos (8)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| APT18M80B | Microchip Technology | 78 | APT18M80B-ND | $6.61000 | Similar |
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| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 500 | $2.26996 | $1,134.98 |
