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Producto del mercado
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
SIHF640S-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 742-SIHF640S-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHF640S-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK |
Plazo estándar del fabricante | 28 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 200 V 18H (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) TO-263 (D2PAK) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 70 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±20V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1300 pF @ 25 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 3.1W (Ta), 130W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200 V | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 180mOhm a 11A, 10V | Número de producto base |
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $3.01000 | $3.01 |
| 10 | $1.94400 | $19.44 |
| 100 | $1.33840 | $133.84 |
| 500 | $1.07940 | $539.70 |
| 1,000 | $0.99616 | $996.16 |
| 2,000 | $0.92618 | $1,852.36 |
| 5,000 | $0.85050 | $4,252.50 |
| 10,000 | $0.83750 | $8,375.00 |
