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Producto del mercado
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
SIHF12N65E-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHF12N65E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHF12N65E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 12A TO220 |
Plazo estándar del fabricante | 24 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 12A (Tc) 33W (Tc) TO-220 paquete completo |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 70 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1224 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 33W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220 paquete completo |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 380mOhm a 6A, 10V | Número de producto base |
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Recursos adicionales
En stock: 870
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $3.50000 | $3.50 |
| 50 | $1.75260 | $87.63 |
| 100 | $1.58300 | $158.30 |
| 500 | $1.28556 | $642.78 |
| 1,000 | $1.18999 | $1,189.99 |
| 2,000 | $1.10966 | $2,219.32 |
| 5,000 | $1.03125 | $5,156.25 |
