Equivalente paramétrico
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SIHD7N60ET4-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHD7N60ET4-GE3-ND - Cinta y rollo (TR) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHD7N60ET4-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA |
Plazo estándar del fabricante | 24 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 600 V 7H (Tc) 78W (Tc) TO-252AA |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 40 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 680 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 78W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 600mOhm a 3.5A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHD7N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHD7N60E-E3-ND | $0.99792 | Equivalente paramétrico |
| SIHD7N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 30 | SIHD7N60E-GE3-ND | $2.93000 | Equivalente paramétrico |
| SIHD7N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SIHD7N60ET1-GE3TR-ND | $0.80207 | Equivalente paramétrico |
| SIHD7N60ET5-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHD7N60ET5-GE3-ND | $0.72290 | Equivalente paramétrico |
| IPD80R450P7ATMA1 | Infineon Technologies | 8,734 | IPD80R450P7ATMA1CT-ND | $2.69000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.72290 | $2,168.70 |
| 6,000 | $0.71250 | $4,275.00 |









