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Producto del mercado
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
SIHD6N65E-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHD6N65E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHD6N65E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 7A DPAK |
Plazo estándar del fabricante | 24 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) TO-252AA |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SIHD6N65E-GE3 Modelos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 48 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 820 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 78W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 600mOhm a 3A, 10V | Número de producto base |
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Recursos adicionales
En stock: 2,780
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $2.50000 | $2.50 |
| 75 | $1.14187 | $85.64 |
| 150 | $1.02907 | $154.36 |
| 525 | $0.86853 | $455.98 |
| 1,050 | $0.79902 | $838.97 |
| 2,025 | $0.74340 | $1,505.38 |
| 5,025 | $0.68008 | $3,417.40 |
| 10,050 | $0.65000 | $6,532.50 |
