SIHD5N50D-GE3 es obsoleto y ya no se fabrica.
Reemplazos disponibles:

MFR recomendado


Vishay Siliconix
En stock: 2,409
Precio por unidad : $2.67000
Hoja de datos

Similar


onsemi
En stock: 4,748
Precio por unidad : $1.73000
Hoja de datos

Similar


onsemi
En stock: 17,350
Precio por unidad : $0.25000
Hoja de datos

Similar


onsemi
En stock: 15,000
Precio por unidad : $0.68000
Hoja de datos

Similar


Renesas Electronics Corporation
En stock: 0
Precio por unidad : $0.76905
Hoja de datos

Similar


STMicroelectronics
En stock: 0
Precio por unidad : $1.98000
Hoja de datos

Similar


STMicroelectronics
En stock: 3,109
Precio por unidad : $1.82000
Hoja de datos

Similar


STMicroelectronics
En stock: 2,205
Precio por unidad : $2.46000
Hoja de datos

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 3,549
Precio por unidad : $2.30000
Hoja de datos

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 353
Precio por unidad : $2.47000
Hoja de datos

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 1,876
Precio por unidad : $2.47000
Hoja de datos
Canal N Montaje en superficie 500 V 5.3H (Tc) 104W (Tc) DPAK
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

SIHD5N50D-GE3

N.º de producto de DigiKey
SIHD5N50D-GE3-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
SIHD5N50D-GE3
Descripción
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252AA
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 500 V 5.3H (Tc) 104W (Tc) DPAK
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Filtrar productos similares
Mostrar atributos vacíos
Categoría
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 250µA
Fabricante
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
20 nC @ 10 V
Embalaje
Tubo
Vgs (máx.)
±30V
Estado de pieza
Obsoleto
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
325 pF @ 100 V
Tipo FET
Disipación de potencia (Máx.)
104W (Tc)
Tecnología
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Paquete del dispositivo del proveedor
DPAK
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Paquete / Caja (carcasa)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
1.5Ohm a 2.5A, 10V
Número de producto base
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Preguntas y respuestas sobre el producto
Recursos adicionales
Sustitutos (11)
N.° de piezaFabricante Cantidad disponibleN.º de producto de DigiKey Precio por unidad Tipo de reemplazo
IRF830PBFVishay Siliconix2,409IRF830PBF-ND$2.67000MFR recomendado
FDD5N50NZTMonsemi4,748FDD5N50NZTMCT-ND$1.73000Similar
FDD5N50TM-WSonsemi17,350FDD5N50TM-WSTR-ND$0.25000Similar
FQD6N50CTMonsemi15,000FQD6N50CTMTR-ND$0.68000Similar
RJK5030DPD-00#J2Renesas Electronics Corporation0RJK5030DPD-00#J2-ND$0.76905Similar
Obsoleto
Este producto ya no se fabrica. Ver Reemplazos.