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Producto del mercado
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
SIHD2N80AE-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 742-SIHD2N80AE-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHD2N80AE-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK |
Plazo estándar del fabricante | 24 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 800 V 2.9H (Tc) 62.5W (Tc) TO-252AA |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 10.5 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 180 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 62.5W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.9Ohm a 500mA, 10V |
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Recursos adicionales
En stock: 1,559
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $1.88000 | $1.88 |
| 10 | $1.19600 | $11.96 |
| 100 | $0.80230 | $80.23 |
| 500 | $0.63354 | $316.77 |
| 1,000 | $0.57924 | $579.24 |
| 3,000 | $0.51031 | $1,530.93 |
| 6,000 | $0.47562 | $2,853.72 |
| 12,000 | $0.44647 | $5,357.64 |
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