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Producto del mercado
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
SIHD12N50E-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHD12N50E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHD12N50E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK |
Plazo estándar del fabricante | 24 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 550 V 10.5A (Tc) 114W (Tc) DPAK |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 50 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 886 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 114W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TA) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 550 V | Paquete del dispositivo del proveedor DPAK |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 380mOhm a 6A, 10V |
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Recursos adicionales
En stock: 2,462
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $2.71000 | $2.71 |
| 10 | $1.74200 | $17.42 |
| 100 | $1.19220 | $119.22 |
| 500 | $0.95694 | $478.47 |
| 1,000 | $0.88129 | $881.29 |
| 3,000 | $0.78529 | $2,355.87 |
| 6,000 | $0.73701 | $4,422.06 |
| 12,000 | $0.72500 | $8,700.00 |
