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Equivalente paramétrico
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SIHB33N60ET5-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHB33N60ET5-GE3-ND - Cinta y rollo (TR) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHB33N60ET5-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 33A TO263 |
Plazo estándar del fabricante | 24 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) TO-263 (D2PAK) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 150 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3508 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 278W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK) |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 99mOhm a 16.5A, 10V |
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Preguntas y respuestas sobre el producto
Recursos adicionales
Sustitutos (3)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHB33N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHB33N60E-GE3-ND | $7.30000 | Equivalente paramétrico |
| SIHB33N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHB33N60ET1-GE3CT-ND | $7.30000 | Equivalente paramétrico |
| FCB110N65F | onsemi | 1,451 | FCB110N65FCT-ND | $8.32000 | Similar |
Disponible para órdenes
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Cinta y rollo (TR)
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 800 | $2.75000 | $2,200.00 |
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