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Producto del mercado
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
SIHB25N50E-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 742-SIHB25N50E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHB25N50E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 500V 26A TO263 |
Plazo estándar del fabricante | 24 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 500 V 26A (Tc) 250W (Tc) TO-263 (D2PAK) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 86 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1980 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 250W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500 V | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 145mOhm a 12A, 10V | Número de producto base |
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $4.92000 | $4.92 |
| 10 | $3.25200 | $32.52 |
| 100 | $2.30540 | $230.54 |
| 500 | $1.90142 | $950.71 |
| 1,000 | $1.77170 | $1,771.70 |
| 2,000 | $1.66269 | $3,325.38 |
| 5,000 | $1.63500 | $8,175.00 |
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