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Producto del mercado
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
SIHB12N65E-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHB12N65E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHB12N65E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK |
Plazo estándar del fabricante | 24 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 650 V 12H (Tc) 156W (Tc) TO-263 (D2PAK) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 70 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1224 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 156W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 380mOhm a 6A, 10V | Número de producto base |
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Recursos adicionales
En stock: 3,316
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $3.87000 | $3.87 |
| 50 | $1.95620 | $97.81 |
| 100 | $1.77020 | $177.02 |
| 500 | $1.44426 | $722.13 |
| 1,000 | $1.33956 | $1,339.56 |
| 2,000 | $1.25156 | $2,503.12 |
| 5,000 | $1.18362 | $5,918.10 |
