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Producto del mercado
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
SIHB11N80AE-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 742-SIHB11N80AE-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHB11N80AE-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK |
Plazo estándar del fabricante | 24 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 800 V 8H (Tc) 78W (Tc) TO-263 (D2PAK) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SIHB11N80AE-GE3 Modelos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 42 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 804 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 78W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK) |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 450mOhm a 5.5A, 10V |
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $3.12000 | $3.12 |
| 10 | $2.02100 | $20.21 |
| 100 | $1.39440 | $139.44 |
| 500 | $1.12644 | $563.22 |
| 1,000 | $1.04034 | $1,040.34 |
| 2,000 | $0.96795 | $1,935.90 |
| 5,000 | $0.88968 | $4,448.40 |
| 10,000 | $0.88125 | $8,812.50 |
