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SIHA21N60EF-E3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHA21N60EF-E3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHA21N60EF-E3 |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 21A TO220 |
Plazo estándar del fabricante | 28 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 600 V 21A (Tc) 35W (Tc) TO-220 paquete completo |
Hoja de datos | Hoja de datos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 84 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2030 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 35W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220 paquete completo |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 176mOhm a 11A, 10V | Número de producto base |
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Sustitutos (4)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM60NE145CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2,000 | 1801-TSM60NE145CITC0G-ND | $6.15000 | Similar |
| TSM60NE180CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2,000 | 1801-TSM60NE180CITC0G-ND | $5.69000 | Similar |
| TSM60NE200CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2,000 | 1801-TSM60NE200CITC0G-ND | $5.17000 | Similar |
| TSM60NE285CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2,000 | 1801-TSM60NE285CITC0G-ND | $4.37000 | Similar |
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1,000 | $1.80155 | $1,801.55 |
