Name: SI8806DB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8806DB-T2-E1TR-ND
Price: 0.84 USD
Availability: InStock

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SI8806DB-T2-E1
N.º de producto de DigiKey	SI8806DB-T2-E1TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI8806DB-T2-E1CT-ND - Cinta cortada (CT) SI8806DB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI8806DB-T2-E1
Descripción	MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
Plazo estándar del fabricante	38 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 12 V 2.8A (Ta) 500mW (Ta) 4-Microfoot
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 43mOhm a 1A, 4.5V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs(th) (máx) a Id 1V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 17 nC @ 8 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±8V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 500mW (Ta)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 12 V	Paquete del dispositivo del proveedor 4-Microfoot
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 2.8A (Ta)	Paquete / Caja (carcasa) 4-XFBGA
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V	Número de producto base SI8806

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SI8806DB-T2-E1