Canal N Montaje en superficie 16 V 18A (Ta) 1.9W (Ta) PowerPAK® SO-8
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

SI7862ADP-T1-GE3

N.º de producto de DigiKey
SI7862ADP-T1-GE3-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante
Número de pieza del fabricante
SI7862ADP-T1-GE3
Descripción
MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 16 V 18A (Ta) 1.9W (Ta) PowerPAK® SO-8
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Filtrar productos similares
Mostrar atributos vacíos
Categoría
Vgs(th) (máx) a Id
2V a 250µA
Fabricante
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
80 nC @ 4.5 V
Serie
Vgs (máx.)
±8V
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
7340 pF @ 8 V
Estado de pieza
Obsoleto
Disipación de potencia (Máx.)
1.9W (Ta)
Tipo FET
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
16 V
Paquete del dispositivo del proveedor
PowerPAK® SO-8
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Paquete / Caja (carcasa)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
2.5V, 4.5V
Número de producto base
Rds On (máx) @ Id, Vgs
3mOhm a 29A, 4.5V
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Preguntas y respuestas sobre el producto
Recursos adicionales
Obsoleto
Este producto ya no se fabrica.