
SI7252DP-T1-GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | SI7252DP-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI7252DP-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI7252DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI7252DP-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8 |
Plazo estándar del fabricante | 17 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 100V 36.7A 46W Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SI7252DP-T1-GE3 Modelos |
Categoría | Rds On (máx) @ Id, Vgs 18mOhm a 15A, 10V |
Fabricante Vishay Siliconix | Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 250µA |
Serie | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 27nC a 10V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1170pF a 50V |
Estado de pieza Activo | Potencia - Máx. 46W |
Tecnología MOSFET (óxido de metal) | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configuración Dos canal N (doble) | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Característica de FET Compuerta de nivel lógico | Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8 Dual |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V | Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 Dual |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 36.7A | Número de producto base |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $3.10000 | $3.10 |
| 10 | $2.01000 | $20.10 |
| 100 | $1.38640 | $138.64 |
| 500 | $1.11974 | $559.87 |
| 1,000 | $1.07100 | $1,071.00 |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.92531 | $2,775.93 |
| 6,000 | $0.87500 | $5,250.00 |











