
SI7252ADP-T1-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 742-SI7252ADP-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SI7252ADP-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SI7252ADP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI7252ADP-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET 2N-CH 100V 9.3A PPAK SO8 |
Plazo estándar del fabricante | 55 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 100V 9.3H (Ta), 28.7H (Tc) 3.6W (Ta), 33.8W (Tc) Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SI7252ADP-T1-GE3 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante Vishay Siliconix | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 26.5nC a 10V |
Serie | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1266pF a 50V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Potencia - Máx. 3.6W (Ta), 33.8W (Tc) |
Estado de pieza Activo | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología MOSFET (óxido de metal) | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Configuración Dos canal N (doble) | Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8 Dual |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V | Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 Dual |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 9.3H (Ta), 28.7H (Tc) | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 18.6mOhm a 10A, 10V |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $2.78000 | $2.78 |
| 10 | $1.79400 | $17.94 |
| 100 | $1.22980 | $122.98 |
| 500 | $0.98832 | $494.16 |
| 1,000 | $0.92244 | $922.44 |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.81221 | $2,436.63 |
| 6,000 | $0.76268 | $4,576.08 |
| 9,000 | $0.75362 | $6,782.58 |




