SI7190DP-T1-GE3 Vishay Siliconix | FET simple, MOSFET

SI7190DP-T1-GE3 es obsoleto y ya no se fabrica.

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Precio por unidad : $6.95000

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SI7190DP-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SI7190DP-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI7190DP-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI7190DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI7190DP-T1-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 250 V 18.4A (Tc) 5.4W (Ta), 96W (Tc) PowerPAK® SO-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SI7190DP-T1-GE3 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 72 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2214 pF @ 125 V
Estado de pieza Obsoleto	Disipación de potencia (Máx.) 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 250 V	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 18.4A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Número de producto base SI7190
Rds On (máx) @ Id, Vgs 118mOhm a 4.4A, 10V