Name: SI4062DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4062DY-T1-GE3TR-ND
Price: 2.43 USD
Availability: InStock

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SI4062DY-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SI4062DY-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI4062DY-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI4062DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI4062DY-T1-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO
Plazo estándar del fabricante	55 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 32.1H (Tc) 7.8W (Tc) 8-SOIC
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 4.2mOhm a 20A, 10V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs(th) (máx) a Id 2.6V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 60 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3175 pF @ 30 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 7.8W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 32.1H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base SI4062

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SI4062DY-T1-GE3