SI2392DS-T1-GE3 Vishay Siliconix | FET simple, MOSFET

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Vishay Siliconix

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SI2392DS-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SI2392DS-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI2392DS-T1-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 3.1A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) SOT-23
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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 10.4 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 196 pF @ 50 V
Estado de pieza Obsoleto	Disipación de potencia (Máx.) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 3.1A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base SI2392
Rds On (máx) @ Id, Vgs 126mOhm a 2A, 10V