SI1302DL-T1-E3 Vishay Siliconix | FET simple, MOSFET

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SI1302DL-T1-E3
N.º de producto de DigiKey	SI1302DL-T1-E3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI1302DL-T1-E3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI1302DL-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI1302DL-T1-E3
Descripción	MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 600mA (Ta) 280mW (Ta) SC-70-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SI1302DL-T1-E3 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 480mOhm a 600mA, 10V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 1.4 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Obsoleto	Disipación de potencia (Máx.) 280mW (Ta)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Paquete del dispositivo del proveedor SC-70-3
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 600mA (Ta)	Paquete / Caja (carcasa) SC-70, SOT-323
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base SI1302