SI1024X-T1-GE3 Vishay Siliconix | Arreglos FET, MOSFET

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SI1024X-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SI1024X-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI1024X-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI1024X-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI1024X-T1-GE3
Descripción	MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 20V 485mA 250mW Montaje en superficie SC-89 (SOT-563F)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SI1024X-T1-GE3 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 700mOhm a 600mA, 4.5V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs(th) (máx) a Id 900mV a 250µA
Serie TrenchFET®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 0.75nC a 4.5V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Potencia - Máx. 250mW
Estado de pieza Obsoleto	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Configuración Dos canal N (doble)	Paquete / Caja (carcasa) SOT-563, SOT-666
Característica de FET Compuerta de nivel lógico	Paquete del dispositivo del proveedor SC-89 (SOT-563F)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V	Número de producto base SI1024
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 485mA