Name: IRFI640GPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFI640GPBF-ND
Price: 4.89 USD
Availability: OutOfStock

IRFI640GPBF
N.º de producto de DigiKey	IRFI640GPBF-ND
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	IRFI640GPBF
Descripción	MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3
Plazo estándar del fabricante	31 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 200 V 9.8A (Tc) 40W (Tc) TO-220-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRFI640GPBF Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9.8A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	180mOhm a 5.9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1300 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3, conductores aislados, paquete completo
Número de producto base	IRFI640

IRFI640GPBF