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IRF640PBF | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | IRF640PBF-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IRF640PBF |
Descripción | MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB |
Plazo estándar del fabricante | 28 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 200 V 18H (Tc) 125W (Tc) TO-220AB |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IRF640PBF Modelos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 70 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±20V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1300 pF @ 25 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 125W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 180mOhm a 11A, 10V | Número de producto base |
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Sustitutos (8)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF640PBF-BE3 | Vishay Siliconix | 69 | 742-IRF640PBF-BE3-ND | $3.73000 | Directo |
| FDP18N20F | onsemi | 0 | FDP18N20F-ND | $0.00000 | Similar |
| FQP19N20 | Flip Electronics | 9,000 | 2832-FQP19N20-ND | $0.79311 | Similar |
| FQP19N20C | onsemi | 0 | FQP19N20C-ND | $0.00000 | Similar |
| IRF200B211 | Infineon Technologies | 108 | IRF200B211-ND | $2.60000 | Similar |
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $4.39000 | $4.39 |
| 50 | $2.24280 | $112.14 |
| 100 | $2.03450 | $203.45 |
| 500 | $1.66944 | $834.72 |
| 1,000 | $1.55218 | $1,552.18 |
| 2,000 | $1.45364 | $2,907.28 |
| 5,000 | $1.40384 | $7,019.20 |
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