Name: IRF510STRRPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF510STRRPBFTR-ND
Price: 2.03 USD
Availability: InStock

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IRF510STRRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRF510STRRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRF510STRRPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRF510STRRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	IRF510STRRPBF
Descripción	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 5.6A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	5.6A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	540mOhm a 3.4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	8.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	180 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.7W (Ta), 43W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	IRF510