Name: VS-3C10ET12S2L-M3
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-VS-3C10ET12S2L-M3TR-ND
Price: 5.71 USD
Availability: InStock

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VS-3C10ET12S2L-M3
N.º de producto de DigiKey	112-VS-3C10ET12S2L-M3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 112-VS-3C10ET12S2L-M3CT-ND - Cinta cortada (CT) 112-VS-3C10ET12S2L-M3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Número de pieza del fabricante	VS-3C10ET12S2L-M3
Descripción	DIODE SIL CARB 1200V 10A TO263AB
Plazo estándar del fabricante	19 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Diodos 1200 V 10A Montaje en superficie TO-263AB (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Diodos Rectificadores Diódos simples
Fabricante	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	SiC (carburo de silicio) Schottky
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)	1200 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)	10A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If	1.5 V @ 10 A
Velocidad	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	0 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr	60 µA @ 1200 V
Capacitancia según Vr, F	38pF a 800V, 1MHz
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263AB (D2PAK)
Temperatura de funcionamiento: acoplamiento	-55°C ~ 175°C