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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
VS-10ETF12S-M3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | VS-10ETF12S-M3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | VS-10ETF12S-M3 |
Descripción | DIODE STANDARD 1200V 10A TO263AB |
Plazo estándar del fabricante | 21 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Diodos 1200 V 10A Montaje en superficie TO-263AB (D2PAK) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | - | |
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | ||
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.) | 1200 V | |
Corriente - Promedio rectificado (Io) | 10A | |
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If | 1.33 V @ 10 A | |
Velocidad | Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io) | |
Tiempo de recuperación inversa (trr) | 310 ns | |
Corriente - Fuga inversa a Vr | 100 µA @ 1200 V | |
Capacitancia según Vr, F | - | |
Tipo de montaje | ||
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB (D2PAK) | |
Temperatura de funcionamiento: acoplamiento | -40°C ~ 150°C | |
Número de producto base |
Disponible para órdenes
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Cantidad
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 8,000 | $1.09313 | $8,745.04 |
