Equivalente paramétrico
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RS1BHE3_A/H | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | RS1BHE3_A/H-ND - Cinta y rollo (TR) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | RS1BHE3_A/H |
Descripción | DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC |
Plazo estándar del fabricante | 10 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Diodos 100 V 1A Montaje en superficie DO-214AC (SMA) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Corriente - Fuga inversa a Vr 5 µA @ 100 V |
Fabricante | Capacitancia según Vr, F 10pF a 4V, 1MHz |
Embalaje Cinta y rollo (TR) | Grado Uso automotriz |
Estado de pieza Activo | Calificación AEC-Q101 |
Tecnología | Tipo de montaje |
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.) 100 V | Paquete / Caja (carcasa) |
Corriente - Promedio rectificado (Io) 1A | Paquete del dispositivo del proveedor DO-214AC (SMA) |
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If 1.3 V @ 1 A | Temperatura de funcionamiento: acoplamiento -55°C ~ 150°C |
Velocidad Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io) | Número de producto base |
Tiempo de recuperación inversa (trr) 150 ns |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| RS1B-E3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 754 | 112-RS1B-E3/5ATCT-ND | $0.45000 | Equivalente paramétrico |
| RS1B-E3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 19,116 | RS1B-E3/61TGICT-ND | $0.45000 | Equivalente paramétrico |
| RS1B-M3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS1B-M3/5AT-ND | $0.08582 | Equivalente paramétrico |
| RS1BHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS1BHE3_A/I-ND | $0.10772 | Equivalente paramétrico |
| EGF1B | onsemi | 135,649 | EGF1BCT-ND | $1.14000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 7,200 | $0.10828 | $779.62 |






