Equivalente paramétrico
Equivalente paramétrico
Equivalente paramétrico
Equivalente paramétrico
Equivalente paramétrico
Equivalente paramétrico
Equivalente paramétrico

ESH1B-M3/5AT | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | ESH1B-M3/5AT-ND - Cinta y rollo (TR) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | ESH1B-M3/5AT |
Descripción | DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC |
Plazo estándar del fabricante | 10 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Diodos 100 V 1A Montaje en superficie DO-214AC (SMA) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Tiempo de recuperación inversa (trr) 25 ns |
Fabricante | Corriente - Fuga inversa a Vr 1 µA @ 100 V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) | Capacitancia según Vr, F 25pF a 4V, 1MHz |
Estado de pieza Activo | Tipo de montaje |
Tecnología | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.) 100 V | Paquete del dispositivo del proveedor DO-214AC (SMA) |
Corriente - Promedio rectificado (Io) 1A | Temperatura de funcionamiento: acoplamiento -55°C ~ 175°C |
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If 900 mV @ 1 A | Número de producto base |
Velocidad Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io) |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| ESH1B-E3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ESH1B-E3/5AT-ND | $0.12998 | Equivalente paramétrico |
| ESH1B-E3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 2,358 | ESH1B-E3/61TGICT-ND | $0.71000 | Equivalente paramétrico |
| ESH1B-M3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ESH1B-M3/61T-ND | $0.14168 | Equivalente paramétrico |
| ESH1BHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ESH1BHE3_A/H-ND | $0.15023 | Equivalente paramétrico |
| ESH1BHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ESH1BHE3_A/I-ND | $0.14045 | Equivalente paramétrico |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 15,000 | $0.14168 | $2,125.20 |


