Equivalente paramétrico
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BYG22D-M3/TR3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | BYG22D-M3/TR3-ND - Cinta y rollo (TR) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | BYG22D-M3/TR3 |
Descripción | DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC |
Plazo estándar del fabricante | 10 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Diodos 200 V 2A Montaje en superficie DO-214AC (SMA) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Velocidad Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io) |
Fabricante | Tiempo de recuperación inversa (trr) 25 ns |
Embalaje Cinta y rollo (TR) | Corriente - Fuga inversa a Vr 1 µA @ 200 V |
Estado de pieza Activo | Tipo de montaje |
Tecnología | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.) 200 V | Paquete del dispositivo del proveedor DO-214AC (SMA) |
Corriente - Promedio rectificado (Io) 2A | Temperatura de funcionamiento: acoplamiento -55°C ~ 150°C |
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If 1.1 V @ 2 A | Número de producto base |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| BYG22D-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 75,425 | BYG22D-E3/GICT-ND | $1.13000 | Equivalente paramétrico |
| BYG22D-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 7,941 | BYG22D-E3/TR3GICT-ND | $1.13000 | Equivalente paramétrico |
| BYG22D-M3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 10,383 | 112-BYG22D-M3/TRCT-ND | $1.17000 | Equivalente paramétrico |
| BYG22DHE3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BYG22DHE3/GITR-ND | $0.00000 | Equivalente paramétrico |
| BYG22DHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 3,390 | BYG22DHE3_A/HGICT-ND | $1.18000 | Equivalente paramétrico |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 15,000 | $0.27689 | $4,153.35 |



