Name: TRS8E65H,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS8E65H,S1Q-ND
Price: 3.62 USD
Availability: InStock

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TRS8E65H,S1Q
N.º de producto de DigiKey	264-TRS8E65H,S1Q-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TRS8E65H,S1Q
Descripción	DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220L
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Diodos 650 V 8A Orificio pasante TO-220-2L
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Diodos Rectificadores Diódos simples
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tecnología	SiC (carburo de silicio) Schottky
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)	650 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)	8A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If	1.35 V @ 8 A
Velocidad	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	0 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr	90 µA @ 650 V
Capacitancia según Vr, F	520pF a 1V, 1MHz
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-2
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220-2L
Temperatura de funcionamiento: acoplamiento	175°C

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$3.62000	$3.62
50	$1.45500	$72.75
100	$1.43880	$143.88

Paquete estándar del fabricante

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