TRS6E65C,S1Q
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TRS2E65H,S1Q

N.º de producto de DigiKey
264-TRS2E65H,S1Q-ND
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante
TRS2E65H,S1Q
Descripción
DIODE SIL CARBIDE 650V 2A TO220L
Plazo estándar del fabricante
24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Diodos 650 V 2A Orificio pasante TO-220-2L
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tecnología
SiC (carburo de silicio) Schottky
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
650 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)
2A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
1.35 V @ 2 A
Velocidad
Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
0 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr
40 µA @ 650 V
Capacitancia según Vr, F
135pF a 1V, 1MHz
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-2
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220-2L
Temperatura de funcionamiento: acoplamiento
175°C
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En stock: 270
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$2.45000$2.45
50$1.19920$59.96
100$1.07780$107.78
500$0.86500$432.50
1,000$0.79659$796.59
2,000$0.73907$1,478.14
5,000$0.72250$3,612.50
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.
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