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TRS6E65C,S1Q
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TRS12E65F,S1Q

N.º de producto de DigiKey
TRS12E65FS1Q-ND
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante
TRS12E65F,S1Q
Descripción
DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2L
Plazo estándar del fabricante
24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Diodos 650 V 12A Orificio pasante TO-220-2L
Modelos EDA/CAD
TRS12E65F,S1Q Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tecnología
SiC (carburo de silicio) Schottky
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
650 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)
12A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
1.7 V @ 12 A
Velocidad
Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
0 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr
90 µA @ 650 V
Capacitancia según Vr, F
65pF a 650V, 1MHz
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-2
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220-2L
Temperatura de funcionamiento: acoplamiento
175°C (máx.)
Número de producto base
TRS12E65
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Cantidad
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Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$3.61000$3.61
50$1.82580$91.29
100$1.65300$165.30
500$1.35030$675.15
1,000$1.25305$1,253.05
2,000$1.22750$2,455.00
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.