TRS4A65F,S1Q
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TRS12A65F,S1Q

N.º de producto de DigiKey
264-TRS12A65FS1Q-ND
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante
TRS12A65F,S1Q
Descripción
DIODE SIL CARB 650V 12A TO220F2L
Plazo estándar del fabricante
24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Diodos 650 V 12A Orificio pasante TO-220F-2L
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
TRS12A65F,S1Q Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tecnología
SiC (carburo de silicio) Schottky
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
650 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)
12A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
1.6 V @ 12 A
Velocidad
Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
0 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr
60 µA @ 650 V
Capacitancia según Vr, F
44pF a 650V, 1MHz
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-2, paquete completo
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220F-2L
Temperatura de funcionamiento: acoplamiento
175°C (máx.)
Número de producto base
TRS12A65
Preguntas y respuestas sobre el producto

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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$7.24000$7.24
50$3.90360$195.18
100$3.58200$358.20
500$3.12624$1,563.12
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.