Name: TRS10V65H,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS10V65H,LQTR-ND
Price: 3.86 USD
Availability: InStock

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TRS10V65H,LQ
N.º de producto de DigiKey	264-TRS10V65H,LQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TRS10V65H,LQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TRS10V65H,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TRS10V65H,LQ
Descripción	DIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEP
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Diodos 650 V 10A Montaje en superficie 4-DFN-EP (8x8)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Diodos Rectificadores Diódos simples
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	SiC (carburo de silicio) Schottky
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)	650 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)	10A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If	1.35 V @ 10 A
Velocidad	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	0 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr	100 µA @ 650 V
Capacitancia según Vr, F	649pF a 1V, 1MHz
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 4-VSFN
Paquete del dispositivo del proveedor	4-DFN-EP (8x8)
Temperatura de funcionamiento: acoplamiento	175°C