Name: TPWR7904PB,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPWR7904PBL1XHQTR-ND
Price: 2.94 USD
Availability: InStock

Canal N Montaje en superficie 40 V 150 A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) 8-DSOP avanzado

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TPWR7904PB,L1XHQ
N.º de producto de DigiKey	264-TPWR7904PBL1XHQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TPWR7904PBL1XHQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TPWR7904PBL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPWR7904PB,L1XHQ
Descripción	MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 150 A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) 8-DSOP avanzado
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TPWR7904PB,L1XHQ Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 85 nC @ 10 V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (máx.) ±20V
Serie U-MOSIX-H	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6650 pF @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 960mW (Ta), 170W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento 175°C
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 150 A (Ta)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-DSOP avanzado
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 0.79mOhm a 75A, 10V	Número de producto base TPWR7904
Vgs(th) (máx) a Id 3V a 1mA