Name: TPN7R006PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPN7R006PLL1QTR-ND
Price: 1.51 USD
Availability: InStock

TPN7R006PL,L1Q
N.º de producto de DigiKey	264-TPN7R006PLL1QTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TPN7R006PLL1QCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TPN7R006PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPN7R006PL,L1Q
Descripción	MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 54A (Tc) 630mW (Ta), 75W (Tc) 8-TSON avanzado (3.1x3.1)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX-H
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	54A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	7mOhm a 27A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 200µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1875 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	630mW (Ta), 75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-TSON avanzado (3.1x3.1)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	TPN7R006

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
5,000	$0.33687	$1,684.35
10,000	$0.32375	$3,237.50

TPN7R006PL,L1Q