Canal N Montaje en superficie 100 V 40A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) 8-TSON avanzado (3.1x3.1)
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TPN1200APL,L1Q

N.º de producto de DigiKey
264-TPN1200APLL1QTR-ND - Cinta y rollo (TR)
264-TPN1200APLL1QCT-ND - Cinta cortada (CT)
264-TPN1200APLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante
TPN1200APL,L1Q
Descripción
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Plazo estándar del fabricante
16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 100 V 40A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) 8-TSON avanzado (3.1x3.1)
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
U-MOSIX-H
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
40A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
11.5mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V a 300µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1855 pF @ 50 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
630mW (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
8-TSON avanzado (3.1x3.1)
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerVDFN
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$1.32000$1.32
10$0.83200$8.32
100$0.54800$54.80
500$0.42612$213.06
1,000$0.38688$386.88
2,000$0.35387$707.74
*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de $7.00.
Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
5,000$0.31813$1,590.65
10,000$0.29605$2,960.50
15,000$0.28480$4,272.00
25,000$0.27218$6,804.50
35,000$0.27000$9,450.00
Paquete estándar del fabricante
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