Name: TPN1200APL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPN1200APLL1QTR-ND
Price: 1.32 USD
Availability: OutOfStock

Canal N Montaje en superficie 100 V 40A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) 8-TSON avanzado (3.1x3.1)

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TPN1200APL,L1Q
N.º de producto de DigiKey	264-TPN1200APLL1QTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TPN1200APLL1QCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TPN1200APLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPN1200APL,L1Q
Descripción	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 40A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) 8-TSON avanzado (3.1x3.1)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 11.5mOhm a 20A, 10V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 300µA
Serie U-MOSIX-H	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 24 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1855 pF @ 50 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 630mW (Ta), 104W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento 175°C
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 40A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-TSON avanzado (3.1x3.1)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN