Canal N Montaje en superficie 60 V 26A (Tc) 610mW (Ta), 61W (Tc) 8-TSON avanzado (3.1x3.1)
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TPN11006PL,LQ

N.º de producto de DigiKey
264-TPN11006PLLQTR-ND - Cinta y rollo (TR)
264-TPN11006PLLQCT-ND - Cinta cortada (CT)
264-TPN11006PLLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante
TPN11006PL,LQ
Descripción
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Plazo estándar del fabricante
16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 60 V 26A (Tc) 610mW (Ta), 61W (Tc) 8-TSON avanzado (3.1x3.1)
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
U-MOSIX-H
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
26A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
11.4mOhm a 13A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V a 200µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1625 pF @ 30 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
610mW (Ta), 61W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
8-TSON avanzado (3.1x3.1)
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerVDFN
Número de producto base
TPN11006
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En stock: 3,665
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$1.18000$1.18
10$0.73700$7.37
100$0.48440$48.44
500$0.37584$187.92
1,000$0.34089$340.89
*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de $7.00.
Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
3,000$0.28758$862.74
6,000$0.26590$1,595.40
9,000$0.25485$2,293.65
15,000$0.25125$3,768.75
Paquete estándar del fabricante